- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C01B - Chimie inorganique éléments non métalliques; leurs composés
- C01B 33/035 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés en présence de filaments chauffés de silicium, de carbone ou d'un métal réfractaire, p.ex. de tantale ou de tungstène, ou en présence de tiges de silicium chauffées sur lesque
Détention brevets de la classe C01B 33/035
Brevets de cette classe: 297
Historique des publications depuis 10 ans
|
35
|
32
|
32
|
23
|
14
|
25
|
15
|
21
|
8
|
3
|
| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5132 |
68 |
| Wacker Chemie AG | 2091 |
66 |
| Tokuyama Corporation | 1248 |
47 |
| Hemlock Semiconductor Corporation | 33 |
12 |
| High-purity Silicon Corporation | 78 |
11 |
| Group14 Technologies, Inc. | 73 |
10 |
| Centrotherm SiTec GmbH | 16 |
8 |
| Hanwha Chemical Corporation | 325 |
6 |
| OCI Company Ltd. | 131 |
5 |
| Schmid Silicon Technology GmbH | 27 |
5 |
| LG Chem, Ltd. | 17205 |
4 |
| MEMC Electronic Materials SpA | 20 |
4 |
| REC Silicon Inc | 77 |
4 |
| Dynatec Engineering AS | 9 |
3 |
| G+R Technology Group AG | 11 |
3 |
| Advanced Material Solutions, LLC | 9 |
3 |
| Globalwafers Co., Ltd. | 561 |
2 |
| GT Solar Incorporated | 10 |
2 |
| GTAT Corporation | 114 |
2 |
| Jiangsu Zhongneng Polysilicon Technology Development Co., Ltd. | 8 |
2 |
| Autres propriétaires | 30 |